| Dateityp | APK |
|---|---|
| Versioun | 1.1 |
| Editeur | APPzilon |
| Release Datum | 8. Dez. 2019 |
| Datum derbäi | 8. Dez. 2019 |
| Os Ufuerderunge | Android |
| Ufuerderunge | Requires Android 2.3 and up |
| Total Downloads | 0 |
| Präis | Free |
Beschreiwung
Erweidert d'Kapazitéite vun Ärem Iwwerdroungselektronenmikroskop (TEM) mat iGate (Interferenz Gate). Dës App erlaabt dynamesch interferometresch Miessunge mat Zäitresolutioune bis 50 s. Follegt einfach d'Instruktioune a genéisst déi pur Schéinheet vun eisem dynamesche Nano-Kosmos.
D'Basis Iddi vun Interferenz Gating (iGate [1]) ass eng synchroniséiert Zerstéierung vun der Interferenz Muster fir eng definéiert Period vun Zäit während enger interferometresch Messung wéi Elektronen Holography (EH). Den holographesche Rekonstruktiounsprozess handelt als temporär Filter, deen nëmmen d'Informatioun vum ongestéierten Interferogramm ausserhalb vun dëser Period behält.
Déi erfuerderlech Stéierung vum Interferenzzoustand gëtt duerch e liichte Strahlablenk duerch de Oflehnungssystem iwwer d'Mikroskopobjektivlens verursaacht. Dëst stellt sech eraus als en extrem robuste Schaltmechanismus, deen d'Acquisitioun an d'Evaluatioun vun Daten iwwer dat ganzt Gesiichtsfeld erlaabt. Ausserdeem produzéiert dësen neie Schaltmechanismus nëmmen eng liicht Ëmverdeelung vun der Intensitéit ënner dem Biprisma. Am Verglach mat anere Realisatioune vun Zäit-geléiste Miessunge an engem TEM, ass keng Gating vun der Intensitéit (duerch e Shutter oder stroboskopesch Beliichtung) néideg. Dës quasi konstant Beliichtung vum Exemplar an dem Detektor reduzéiert zousätzlech parasitär Effekter wéi Ladungsvariatioune oder thermesch Transienten.
[1] T. Niermann, M. Lehmann and T. Wagner, Ultramicroscopy 182 (2017), 54.
Fabrikatioun vum Adapterkabel (3,5 mm Jack op BNC)
néideg: eng al BNC Kabel, bëlleg Kopfhörer, Schéier an duct Tape.
1. de BNC Kabel schneiden
2. markéiert de Kabel vun der lénker Kopfhörer
3. d'Chauffeuren ofschneiden
4. Sträif all Kabel Enden (verbinden der 2 Enden vun lénks Kabel op Är deflector an der 2 Enn vun riets Kabel op Är elektresch biasing System).
5. (fortgeschratt) Verbindung Schirmung an banneschten Linnen vun Kopfhörer Kabel an BNC Kabel (Soldering an Isolatioun recommandéiert)
Experimentell Instruktioun (Verbindung iGate mat TEM, Acquisitioun vun Zäit geléist Elektronen Hologramme)
1. Maacht Ären Apparat an de Fluchmodus (fir Alarmer während Miessunge ze vermeiden)
2. verbënnt Kabelendungen (oder BNC Stecker) mat Ärem Deflektor (lénks Kabel) an Ären elektresche Viraussetzungshalter (riets Säit)
3. den Apparat Volumen op max
4. Plug der Jack an Ärem Smartphone
5. Start der App
6. Ajustéieren d'Gating Amplitude (formt Elektronenhologramm, öffnen Live Fft fir Sidebands ze gesinn, wielt Geräischer Signal, setzt Gating Amplitude op Minimum, dréckt L Knäppchen fir Gating Signal unmute, erhéicht Gating Amplitude bis Sidebands am Live fft verschwannen)
7. wielt Ausléiser Signal
8. ajustéieren Signal Amplituden
9. Ausléiser Signal unmute (dréckt R-Knäppchen)
10. wielt Gate Fraktioun
11. wielt Gate Positioun
12. wielt iGate Signal
13. Start Acquisitioun (Miessung)
14. Mute souwuel Signal
15. Start Acquisitioun (Normaliséierung)
16. änneren Gate Positioun
17. unmute béid Signaler
18. widderhuelen 13. - 17.
Fir weider Informatioun kontaktéiert [email protected].